废铂碳在硅快恢复二极管器件制造工艺中，铂扩散的作用与金扩散一样，起到在硅中添加复合中心的作用，其目的是减少硅PN结体内的少数载流子寿命，缩短贮存时间，提高开关速度。由于金在硅中存在凝聚效应。即金在硅中的原有溶解度随工艺扩散温度的降低而下降。因为金原子在硅中扩散很快，随着温度的降低，过量的金或者扩散出硅片表面，或者一小团一小团地凝结在硅片内部。凝聚成团的金原子其电性能不活泼，不能起复合中心的作用。实验发现，铂在硅中不存在凝聚效应。因此，铂扩散工艺广泛地应用于硅快恢复功率二极管器件制造中。实验证明，合理的铂扩散对提高硅二极管的恢复时间是十分有效的。此外，对于质量不太好的硅单晶片来说，铂扩散与金扩散一样也有改善PN结反向特性的作用。同样，铂扩散也给硅二极管的性能带来一定的不利影响，例如致使PN结中轻掺杂区电阻率增大，引起PN结的正向压降增大，加大了二极管的正向耗散功率等。   目前，铂扩散在硅快恢复、超快恢复和高效整流等功率二极管生产中被普遍采用。因此，铂扩散工艺是当前硅半导体功率器件生产中的一道重要工艺。
 
　　扩散时间对扩铂二极管反向恢复时间的影响。样品的电阻率为40Ω·cm，扩散温度分别为870℃和900℃，其他两种电阻率样品的曲线与图5类似。从图中可以看出，Trr随铂扩散时间的增加而减小。870℃时Trr减小幅度比900℃时明显。说明在较高扩散  温度时，增加扩散时间对Trr的改善不大；而在较低扩散温度时，扩散时间对Trr产生较为明显的影响。这可以从铂扩散系数和固溶度与温度的关系得到解释：由于铂的扩散系数和固溶度随扩散温度的升高显著变大，在温度较高时，铂能够在很短的时间内基本扩透整个硅片，  达到接近饱和的浓度值，再增加铂扩散时间对铂浓度的改变很小。因此，在温度较高时，随着铂扩散时间的增加，Trr的变化不大。而铂扩散温度较低时其扩散系数较小，扩散时间越长，扩散进入硅中的铂浓度就越高，从而Trr变化较明显。
 
本文从硅中非平衡载流子的复合、铂在硅中的性质、作用和影响以及铂扩散工艺对硅快恢复二极管器件特性的影响进行了阐述。并对一些涉及到的主要参数特性进行了理论分析。实验所得到硅快恢复二极管样品具有正向压降小，反向恢复时间短，参数温度特性好，反向耐压高，高温漏电流小等特点，作为快速快关和高频整流器件具有较好的实用性和可靠性。

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